Efet Nernst-Ettingshausen trasversal

L'efet Nernst-Ettingshausen trasversal, o efet termogalvanomagnétich, a l'é n'efet termomagnétich ch'as manifesta con l'aparission d'un camp elétrich trasversal $E_{z}^{NE}$ (o na diferensa ëd potensial trasversal $V_{z}^{NE}$) cand as àplica un camp magnétich ${\vec {B}}=(0,B_{y},0)$ a 'n còrp sede d'un fluss d'energìa diressional W provocà da 'n gradient ëd temperadura $\nabla T=(\nabla _{x}T,0,0)$. Ël valor dël camp $E_{z}^{NE}$ a dipend da $\nabla T$, da ${\vec {B}}$ e da le propietà dël semicondutor ch'as carateriso con ël coefissient ëd Nernst-Ettingshausen $A_{\perp }^{NE}$: $E_{z}^{NE}=A_{\perp }^{NE}\nabla _{x}T\cdot B_{y}$.